|
Podstatou návrhu projektu je studium procesů funkcionalizace povrchů nepolárního a semipolárního GaN organickými látkami. Dílčím cílem je příprava čistých a uspořádaných povrchů krystalu GaN s různou morfologií povrchů v podmínkách ultravysokého vakua, studium atomové a elektronové struktury dosud neznámých rekonstrukcí a měření elektronových vlastností. Čisté povrchy GaN budou dále exponovány organickými uhlovodíky v plynné a kapalné fázi. Cílem výzkumu je zjištění vhodných podmínek zakončení nepolárních a semipolárních povrchů GaN vodíkem, funkčními skupinami alkenů, aminů a organickými látkami, používanými pro kultivaci a růst biologických makroobjektů.
|