Publikace vytvořené v rámci projektu

Projekt č. TH02010580 TA ČR
Rychlá zobrazovací stínítka pro ionizující, UV, EUV záření
A. Hospodková    (2017-2020)

Celkem: 6
A. Hospodková, T. Hubáček
Preparation method of epitaxial structure with InGaN quantum wells
Patent No.308024 (2019).

A. Hospodková, M. Zíková, K. Blažek,
Scintillation detector for detection of ionisation radiation
Patent No.307721 (2019).

F. Hájek
Luminescence properties of InGaN/GaN and InGaN/InGaN scintillation heterostructures
Diplomová práce
Školitel: Ing. Jiří Oswald, CSc.
Vysoká škola, fakulta: ČVUT v Praze, Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská

A. Hospodková, K. Blažek, E. Hulicius, J. Touš, M. Nikl
Scintillation detector for detection of ionising radiation
US 10,067,246 B2

A. Hospodková, K. Blažek, E. Hulicius, J. Touš, M. Nikl
Scintillation detector for detection of ionising radiation
(2018) -.

K. Kuldová, T. Kretková, R. Novotný, E. Kočišová, F. Dominec, A. Hospodková, M. Zíková, J. Pangrác
Long range influence of macroscopic defects on photoluminescence of GaN/InGaN multiple quantum well structures
EWMOVPE 17, Grenoble, France, June 18-21, 2017. P. 40.