Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace


Cílem projektu je průmyslový výzkum a experimentální vývoj heteroepitaxního růstu nitridových struktur pro polovodičové aplikace: 1) VaV technologie MOCVD pro růst funkčních nitridových struktur na vlastních substrátech průměru až 200 mm. 2) VaV a charakterizace funkčních nitridových struktur pro polovodičové aplikace (např. ověřené funkční struktury pro HEMT). 3) VaV vhodných metod pro měření parametrů nitridových struktur vyráběných pro polovodičové aplikace. Podpora rozvoje účinné spolupráce průmyslového podniku a výzkumných institucí zásadně přispěje k dosažení a aplikaci výsledků – ověřené technologie a funkčních vzorků včetně metod pro jejich charakterizaci – v polovodičové výrobě v ČR.